製程設備潔淨

在 3 奈米及更先進製程中，CMP 後清洗（Post-CMP Cleaning）的良率容忍度幾近於零。傳統監控仰賴離線抽樣或間接分析，存在嚴重的監控滯後性。一旦清洗液中的研磨顆粒或化學殘留物超標，往往導致晶圓刮傷（Scratches）或電性失效，造成高額的批次報廢損失。建立一套即時、可量化且具備形貌辨識能力的監控機制，已成為半導體廠提升製程可靠度的標配。