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半導體電子產業
突破瓶頸!提供先進3奈米製程檢測方案
半導體晶圓生產過程中,黃光蝕刻、薄膜、顯影等製程,皆會用到液體或揮發性材料,如CMP研磨液、光阻液、蝕刻化學製品、去離子水等。傳統的固態乾式檢驗,液態樣品經烘烤後必然產生團聚或變質,僅能觀測到非原貌的失真樣本。針對半導體的研磨液、化學品,邑流微測能協助您看見樣品原始樣貌,篩出不該有的雜質。
應用實例:
CMP Slurry (奈米顆粒分析)
- CeO2
本樣品粒子尺寸分部介於50-60 nm,可於160K的倍率下清楚拍出液態顆粒之輪廓,並辨識出團聚區域。
- SiO2
本樣品粒子尺寸分部介於39-123 nm,其分散性及團聚性分別為23.7%及48.4%。
部分樣品嚴重團聚,經由專業版的軟體進行分割,計算出精確之尺寸。其他光學儀器則會直接把團聚區域視為一大尺寸之顆粒,較難分辨團聚區域。