半導體晶圓生產過程中，黃光蝕刻、薄膜、顯影等製程，皆會用到液體或揮發性材料，如CMP研磨液、光阻液、蝕刻化學製品、去離子水等。傳統的固態乾式檢驗，液態樣品經烘烤後必然產生團聚或變質，僅能觀測到非原貌的失真樣本。針對半導體的研磨液、化學品，邑流微測能協助您看見樣品原始樣貌，篩出不該有的雜質。

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應用實例：

CMP Slurry (奈米顆粒分析)
- CeO2
本樣品粒子尺寸分部介於50-60 nm，可於160K的倍率下清楚拍出液態顆粒之輪廓，並辨識出團聚區域。
 
- SiO2
本樣品粒子尺寸分部介於39-123 nm，其分散性及團聚性分別為23.7%及48.4%。
部分樣品嚴重團聚，經由專業版的軟體進行分割，計算出精確之尺寸。其他光學儀器則會直接把團聚區域視為一大尺寸之顆粒，較難分辨團聚區域。
 
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